[实用新型]多图形光刻的检测结构有效
| 申请号： | 201620541929.X | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN205645764U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张步新;冯光涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种多图形光刻的检测结构。所述多图形光刻的检测结构包括第一金属条及间隔围绕在所述第一金属条两端的n个第二金属条；所述第一金属条及第二金属条皆引出至检测端，所述第一金属条与所述n个第二金属条构成n个独立的电容，n为大于等于2的整数。利用上述多图形光刻的检测结构，通过对n个电容进行测量，再比较测量结果，就能够得知是否精确对准，若出现交叠错误，根据测得的结果，能够具体分析出是何种原因。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 光刻 检测 结构 | ||
【主权项】：
一种多图形光刻的检测结构，其特征在于，包括第一金属条及间隔围绕在所述第一金属条两端的n个第二金属条；所述第一金属条及第二金属条皆引出至检测端，所述第一金属条与所述n个第二金属条构成n个独立的电容，n为大于等于2的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
