[实用新型]漏电电路有效

专利信息
申请号: 201620551109.9 申请日: 2016-06-08
公开(公告)号: CN205753962U 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 杨超;张仁富;马辉 申请(专利权)人: 无锡思泰迪半导体有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 顾吉云
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及集成电路领域,特别适用于PCB(印刷电路板)或者芯片内部的电源到地之间存在大电容的SOC(片上系统)芯片,具体为一种漏电电路,其能够快速卸放电源到地之间电容存储的电荷,保证芯片正常工作,其包括电容,所述电容一端接地,其特征在于,所述电容另一端连接第一NMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极和栅极,所述第一NMOS管的源极极地、漏极连接电阻一端,所述电阻另一端和所述第一PMOS管的源极相连后连接电源VDD。
搜索关键词: 漏电 电路
【主权项】:
一种漏电电路,其包括电容,所述电容一端接地,其特征在于,所述电容另一端连接第一NMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极和栅极,所述第一NMOS管的源极极地、漏极连接电阻一端,所述电阻另一端和所述第一PMOS管的源极相连后连接电源VDD。
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