[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201620554495.7 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN205666230U | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区以及围绕在器件区外的隔离区，所述隔离区表面具有第一金属层；第一介质层，所述第一介质层覆盖半导体衬底，且第一介质层具有与第一金属层连接的至少一个第一插塞，所述第一插塞位于隔离区上，第一插塞延伸于所述第一介质层的上方；接触垫，所述接触垫覆盖器件区上方的第一介质层；第二介质层，所述第二介质层覆盖接触垫以及所述第一插塞；保护膜层，所述保护膜层覆盖所述器件区的第二介质层以及部分所述隔离区的第二介质层。本实用新型中，第一插塞使得第二介质层与保护膜层之间的接触面积增大，避免晶圆测试时第二介质层断裂，提高晶圆的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区以及围绕在所述器件区外的隔离区，所述隔离区表面具有第一金属层；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底，且所述第一介质层具有与所述第一金属层连接的至少一个第一插塞，所述第一插塞位于所述隔离区上，所述第一插塞延伸于所述第一介质层的上方；接触垫，所述接触垫覆盖所述器件区上方的第一介质层；第二介质层，所述第二介质层覆盖所述接触垫以及所述第一插塞；保护膜层，所述保护膜层覆盖所述器件区的第二介质层以及部分所述隔离区的第二介质层。
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