[实用新型]铟镓砷短波红外探测器

摘要

本专利公开了一种铟镓砷短波红外探测器。器件结构从上至下依次包括钝化层，窗口层，吸收层，缓冲层，读出电路，金属电极和互连通孔。其中，金属电极制备在缓冲层上。互连通孔制备在光敏元上，形成一个锥形通孔。互连通孔只与窗口层和读出电路连通。钝化层覆盖了除金属电极以外的器件表面，同时在互连通孔锥形下半部形成内部绝缘隔离。本器件结构特征在于铟镓砷短波红外探测器在光敏元上引入一个锥形的通孔，然后在通孔中填充互连金属连接窗口层与读出电路，使得探测器光敏元从材料内部就可以与读出电路进行互连。这种结构具有结构紧凑、易集成，能有效提高探测器在三维方向的堆叠密度，是未来发展微系统的核心技术。

主权项

一种铟镓砷短波红外探测器，包括窗口层(2)，吸收层(3)，缓冲层(5)，其特征在于：所述的铟镓砷短波红外探测器的结构自上而下依次为：窗口层(2)，吸收层(3)和缓冲层(5)，读出电路(7)位于缓冲层(5)的下面，公共金属电极(4)埋于缓冲层(5)中；窗口层(2)，吸收层(3)和缓冲层(5)表面的中心位置有一个互连通孔(6)，互连通孔(6)中填充金属将吸收层(3)产生的光电信号通过与之相连的窗口层(2)导入至读出电路(7)中；除公共金属电极(4)区域外，探测器的表面覆盖有钝化层(1)，在互连通孔(6)的内侧面除窗口层(2)的区域外同样覆盖有钝化层(1)；所述的窗口层(2)的材料为InP，InAsP，InAlAs或InGaAs，厚度在0.4微米到1微米之间；所述的吸收层(3)的材料为InGaAs，厚度在1微米到2.5微米之间；所述的缓冲层(5)的材料为InAlAs，InP，InGaAs或InAsP，厚度在2微米到3微米之间；所述的钝化层(1)的材料为Si3N4或SiO2的一种，厚度在400纳米到800纳米之间；所述的公共金属电极(4)的厚度在600纳米到1000纳米之间。所述的互连通孔(6)为大口位于窗口层(2)的锥孔，孔中填充金属是铟、金或钨。