[实用新型]一种有效增加PN结结面积的芯片结构有效
| 申请号： | 201620563922.8 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN205692821U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 谢晓东;保爱林 | 申请（专利权）人： | 浙江明德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/06;H01L21/22 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种芯片结构，特别是一种可以有效增加PN结结面积的芯片结构，属于半导体技术领域。包括芯片本体，芯片本体包括衬底层以及在衬底层其中一面或两面同时掺杂形成与衬底层导电类型相反的重掺杂层，重掺杂层与衬底层相交处形成PN结，PN结裸露处覆盖有钝化层，芯片本体的上下表面均覆盖有金属层；所述PN结为若干呈U型的曲面结正反首尾相连而成，其中U型曲面结的中部为平面结。本实用新型通过将原有的平面PN结设计为由多个具有U型结构构成的曲面结，在不增加原有芯片本体尺寸的前提下，有效增大了PN结的面积，从而在不增加制造成本的基础上达到增大芯片额定电流的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 增加 pn 面积 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种有效增加PN结结面积的芯片结构，其特征在于：包括芯片本体，芯片本体包括衬底层以及在衬底层其中一面或两面同时掺杂形成与衬底层导电类型相反的重掺杂层，重掺杂层与衬底层相交处形成PN结，PN结裸露处覆盖有钝化层，芯片本体的上下表面均覆盖有金属层；所述PN结为若干呈U型的曲面结正反首尾相连而成，其中U型曲面结的中部为平面结。
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