[实用新型]一种带ITO薄膜结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201620569290.6 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN205790051U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;潘彬 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张静;张文 |
| 地址： | 330038 江西省南昌市红谷滩新*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种带ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n‑AIGaInP限制层、多量子阱（MQW）有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层，在p‑GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面制作背电极，其特征在于：在ITO薄膜层上设有金属电极层；金属电极层包括主电极和扩展电极，主电极连接在p‑GaP窗口层上，扩展电极连接在ITO薄膜层上。本实用新型提高了整个金属电极层的附着性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品的焊线可靠性，极大地提升了产品的质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ito 薄膜 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种带ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n‑AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层，在p‑GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面制作背电极，其特征在于：在ITO薄膜层上设有金属电极层；金属电极层包括主电极和扩展电极，主电极连接在p‑GaP窗口层上，扩展电极连接在ITO薄膜层上。
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