[实用新型]一种发光二极管有效
申请号: | 201620575510.6 | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN205670547U | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 冯烁;文涛;屈艺;杨振洲 | 申请(专利权)人: | 兰州理工大学 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/10;H01L33/14 |
代理公司: | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 赵永强 |
地址: | 730050 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种发光二极管,包括支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极,所述的一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极,所述的金属屏蔽层内部含有金属反射层,所述的半导体结构层包括P型化合物半导体层、活性层、N型化合物半导体层,所述的石墨烯结构层包括石墨烯层和超颖金属层,所述的第一电极包括电极垫和扩展部分;该发光二极管能够防止由于电极材料吸收而引起光损耗,此外,所用的石墨烯材料具有良好的传输特性,节能环保,经济高效。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,其特征是:包括支撑基板层(1)、键合金属层(2)、金属屏蔽层(3)、半导体结构层(4)、石墨烯结构层(5)、第一电极(6),所述的一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层(1)、键合金属层(2)、金属屏蔽层(3)、半导体结构层(4)、石墨烯结构层(5)、第一电极(6),所述的金属屏蔽层(3)内部含有金属反射层(7),所述的半导体结构层(4)包括P型化合物半导体层(8)、活性层(9)、N型化合物半导体层(10),所述的石墨烯结构层(5)包括石墨烯层(11)和超颖金属层(12),所述的第一电极(6)包括电极垫(13)和扩展部分(14);所述的支撑基板层(1)为绝缘材料,所述的键合金属层(2)是通过共晶键合形成的,所述的石墨烯结构层(5)厚度小于1nm,所述的石墨烯结构层(5)比第一电极(6)更宽,并且完全围绕第一电极(6),防止第一电极(6)吸收光线,从而进一步提高发光效率,所述的N型化合物半导体层(10)包括氮化镓(GaN)或氮化铝(AlN),所述的超颖金属层(12)由金材料制成,并且为蜂窝状,中间穿插介电材料,所述的超颖金属层(12)具有负折射率,入射光通过超颖金属层(12)的对面散发到外界,所述的电极垫(13)由引线键合形成的,所述的扩展部分(14)使电流均匀分布在一个宽区域中的。
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