[实用新型]一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置有效
申请号: | 201620578440.X | 申请日: | 2016-06-14 |
公开(公告)号: | CN205680658U | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 晏文春;周军;党继东;刘东续 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,包括第一传送带和第二传送带,第一传送带和第二传送带的传送方向相互垂直设置,第一传送带和第二传送带的传送平面位于同一水平面上;对应于同一个上料端设置有第一传送带组,每个第一传送带组包括至少一条第一传送带;每个第一传送带组的输出端设置有一第二传送带组,所述第一传送带组的输出端与第二传送带组的一侧边相衔接;每个第二传送带组中,各相邻第二传送带之间设置有第三传送带组,第三传送带的传送方向与第一传送带相同;对应于所述硅片,还设置有传感器以感知硅片的所在位置;对应于每片硅片的至少一条待测试边缘设置有一对欧姆表的表笔,表笔与一驱动机构连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 在线 测试 刻蚀 硅片 边缘 电阻 装置 | ||
【主权项】:
一种在线测试刻蚀后硅片边缘电阻的装置,其特征在于:包括第一传送带和第二传送带,第一传送带和第二传送带的传送方向相互垂直设置,第一传送带和第二传送带的传送平面位于同一水平面上;对应于同一个上料端设置有第一传送带组,每个第一传送带组包括至少一条第一传送带;每个第一传送带组的输出端设置有一第二传送带组,每个第二传送带组包括至少两条平行且间隔布置的第二传送带,所述第一传送带组的输出端与第二传送带组的一侧边相衔接;每个第二传送带组中,各相邻第二传送带之间设置有第三传送带组,每个第三传送带组包括至少一条平行且间隔布置的第三传送带,第三传送带的传送方向与第一传送带相同,第三传送带的传送平面与第一传送带及第二传送带的传送平面位于同一水平面上;对应于所述硅片,还设置有传感器以感知硅片的所在位置;对应于每片硅片的至少一侧待测试边缘设置有一对欧姆表的表笔,表笔的测试端垂直于硅片的待测试边缘,所述表笔与一驱动机构连接,该驱动机构驱动表笔靠近及远离硅片表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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