[实用新型]一种P型硅背表面钝化结构

摘要

本实用新型公开了一种P型硅背表面钝化结构。包括：衬层；第一氧化铝层，其设置在所述衬层上方；以及第一AZO钝化膜层，其设置在所述第一氧化铝层的上方；第二氧化铝层，其设置在所述第一AZO钝化膜层上方；第二AZO钝化膜层，其设置在所述第二氧化铝层的上方；第三氧化铝层，其设置在所述第二AZO钝化膜层上方；第三AZO钝化膜层，其设置在所述第三氧化铝层的上方；其中，所述第一氧化铝层、第二氧化铝层和第三氧化铝层的厚度相同，所述第一AZO钝化膜层、第二AZO钝化膜层和第三AZO钝化膜层的厚度依次递增。本实用新型的有益效果是：减少了单一氧化铝钝化结构中氧化铝钝化层的厚度，在保证钝化性能的同时，解决了现有技术中银浆难以烧穿钝化层达到硅片表面的问题，有提高了钝化结构与硅基体的电性能。

主权项

一种P型硅背表面钝化结构，其特征在于，包括：衬层；第一氧化铝层，其设置在所述衬层上方；以及第一AZO钝化膜层，其设置在所述第一氧化铝层的上方；第二氧化铝层，其设置在所述第一AZO钝化膜层上方；第二AZO钝化膜层，其设置在所述第二氧化铝层的上方；第三氧化铝层，其设置在所述第二AZO钝化膜层上方；第三AZO钝化膜层，其设置在所述第三氧化铝层的上方；其中，所述第一氧化铝层、第二氧化铝层和第三氧化铝层的厚度相同，所述第一AZO钝化膜层、第二AZO钝化膜层和第三AZO钝化膜层的厚度依次递增。