[实用新型]半导体封装

摘要

本实用新型提供一种半导体封装，其包括具有源极连接器的导电基座(基座)。漏极连接器和栅极连接器与所述基座电耦接。耗尽型氮化镓场效应晶体管(GaN FET)和增强型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS FET)也与所述基座耦接。所述栅极连接器和所述LDMOS FET的栅极触点均包括在第一电节点中，所述源极连接器和所述LDMOS FET的源极触点均包括在第二电节点中，并且所述漏极连接器和所述GaN FET的漏极触点均包括在第三电节点中。所述GaN FET和LDMOS FET一起形成作为增强型放大器工作的共源共栅结构。所述半导体封装不包括位于所述GaN FET与所述基座之间或位于所述LDMOS FET与所述基座之间的插入器。

主权项

一种半导体封装，其特征在于包括：导电基座，所述基座包括源极连接器；与所述基座电耦接的漏极连接器；与所述基座电耦接的栅极连接器；与所述基座耦接的氮化镓场效应晶体管GaN FET；以及与所述基座耦接并且与所述GaN FET电耦接的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS FET，所述GaN FET和所述LDMOS FET一起形成共源共栅结构。