[实用新型]一种MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620597513.X | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN205828395U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;陆梅君;田意;董业民;高腾;陈弼梅 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海音科专利商标代理有限公司31267 | 代理人： | 刘香兰 |
| 地址： | 201899 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种MOS场效应晶体管，包括源区，漏区，栅区，沟道区及半导体衬底区，源区、漏区和沟道区形成为晶体管的有源区，有源区外环绕设置有隔离区，栅区包括位于有源区所在平面的上方的闭合环形部分，源区和漏区分别位于该闭合环形部分的内外，栅区还包括延伸部分，该延伸部分从闭合环形部分、在第一直线方向上延伸覆盖至隔离区，位于隔离区上的栅区的延伸部分用来做电学引出。优化地，本实用新型所提供的MOS场效应晶体管，栅区的延伸部分位于闭合环形部分的两侧，且栅区的延伸部分与闭合环形部分在与第一直线方向垂直的第二直线方向上的最大外边界间距等宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种MOS场效应晶体管，包括源区，漏区，栅区，沟道区，隔离区及半导体衬底区，所述源区、漏区和沟道区形成为所述晶体管的有源区，所述有源区外环绕设置有隔离区，所述栅区包括位于所述有源区上方的闭合环形部分，所述源区和所述漏区分别位于所述闭合环形部分的内外或外内，其特征在于，所述栅区还包括延伸部分，所述延伸部分从所述闭合环形部分、在第一直线方向上延伸覆盖至隔离区，位于所述隔离区上的所述栅区的延伸部分用来做所述栅区的电学引出。
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