[实用新型]一种带缓冲功能的功率半导体模块电极有效
| 申请号： | 201620600470.6 | 申请日： | 2016-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN205810792U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈雪筠;颜辉;邵凌翔;陈晨 | 申请（专利权）人： | 常州瑞华电力电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人： | 周祥生;周玲 |
| 地址： | 213200 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带缓冲功能的功率半导体模块电极，包括连接支架和芯片焊接板，所述连接支架和芯片焊接板由整块板弯折90°而成，呈“L”型，在所述连接支架上设置有折弯凸块，折弯凸块的内侧壁形成一个缓冲凹槽。本实用新型通过改变现有电极的结构，使得电极的连接支架上形成缓冲段，使电极具有较高的抗受力变形性能，从而降低了电极因受力对与芯片焊接处的影响，防止了芯片与芯片焊接板受力变形或脱落，使得功率半导体模块的产品质量提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 功能 功率 半导体 模块 电极 | ||
【主权项】：
一种带缓冲功能的功率半导体模块电极，包括连接支架(1)和芯片焊接板(2)，所述连接支架(1)和芯片焊接板(2)由整块板弯折90°而成，呈“L”型，其特征是：在所述连接支架(1)上设置有折弯凸块(3)，折弯凸块(3)的内侧壁形成一个缓冲凹槽(4)。
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