[实用新型]等比例缩小的GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201620600624.1 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN205670541U | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种等比例缩小的GaN HEMT器件，其包括：衬底；成核层形成在衬底上；GaN缓冲层形成在成核层上；空间隔离层插入在GaN缓冲层中；AlN势垒层形成在GaN缓冲层上，且GaN缓冲层与AlN势垒层接触处形成二维电子气；n+GaN外延层形成在AlN势垒层两侧的GaN缓冲层上；源极和漏极分别形成在AlN势垒层两侧的n+GaN外延层上；GaN帽层形成在AlN势垒层上，且GaN帽层和两侧的n+GaN外延层形成0.7μm长度的栅槽；Al2O3钝化层覆盖源极和漏极之间的区域；栅极填充在栅槽中的Al2O3钝化层上。本实用新型能够将S‑D距离减小至0.7μm。 | ||
| 搜索关键词： | 比例 缩小 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种等比例缩小的GaN HEMT器件，其特征在于，包括：Si衬底；SiN/AlN成核层，所述SiN/AlN成核层形成在所述Si衬底上；GaN缓冲层，所述GaN缓冲层形成在所述SiN/AlN成核层上；AlN/GaN空间隔离层，所述AlN/GaN空间隔离层插入在所述GaN缓冲层中；AlN势垒层，所述AlN势垒层形成在所述GaN缓冲层上，且所述GaN缓冲层与所述AlN势垒层接触处形成二维电子气；n+GaN外延层，所述n+GaN外延层形成在所述AlN势垒层两侧的的GaN缓冲层上；源极和漏极，所述源极和漏极分别形成在所述AlN势垒层两侧的n+GaN外延层上；GaN帽层，所述GaN帽层形成在所述AlN势垒层上，且所述GaN帽层和两侧的n+GaN外延层形成0.7μm长度的栅槽；Al2O3钝化层，所述Al2O3钝化层覆盖所述源极和漏极之间的区域；栅极，所述栅极填充在所述栅槽中的Al2O3钝化层上，且所述栅极与源极和漏极之间通过所述Al2O3钝化层电气隔离。
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