[实用新型]一种抗受力干扰的功率半导体模块电极

摘要

一种抗受力干扰的功率半导体模块电极，包括连接支架、芯片焊接板和连接孔，连接支架和芯片焊接板由整块板弯折90°而成，呈“L”型，在连接支架的上端设置连接孔，在连接支架的两侧交错设置有V型变形槽，V型变形槽的槽深长为连接支架宽度的20％～50％，V型变形槽的角度为15°～45°。通过改变现有电极的结构，在电极的连接支架上增设了V型变形槽，使得电极的连接支架具有较高的抗受力变形性能，从而减小了外受力对电极的影响，防止了芯片与芯片焊接板受力变形或脱落，使得功率半导体模块的产品质量提高。

主权项

一种抗受力干扰的功率半导体模块电极，包括连接支架(1)、芯片焊接板(2)和连接孔(3)，所述连接支架(1)和芯片焊接板(2)由整块板弯折90°而成，呈“L”型，在连接支架(1)的上端设置连接孔(3)，其特征是：在连接支架(1)的两侧交错设置有V型变形槽(11)，V型变形槽(11)的槽深长为连接支架(1)宽度的20％～50％，V型变形槽(11)的两边夹角为15°～45°。