[实用新型]一种用于智能功率集成电路的功率半导体器件

摘要

本实用新型公开了一种用于智能功率集成电路的功率半导体器件，包括半导体衬底和功率芯片，半导体衬底的顶部掩埋有多级场板，功率芯片焊接在多级场板的上表面，功率芯片与多级场板之间采用高熔点焊片连接；功率芯片的下表面连接有欧姆接触电极，上表面连接有阳极金属，阳极金属上引出有金属电极；欧姆接触电极的上表面焊接有阴极金属；多级场板两侧的半导体衬底为边缘终端区，边缘终端区的中心刻蚀有终端深槽，多级场板的上表面通过蚀刻和化学沉积形成有场限环，终端深槽中填充有低介电常数电介质苯并环丁烯；功率芯片可多个并联焊接在多级场板上表面，多个功率芯片之间用绝缘栅隔开，本实用新型提高整体耐压并防止提前击穿现象，集成度高。

主权项

一种用于智能功率集成电路的功率半导体器件，包括半导体衬底（1）和功率芯片（2），所述半导体衬底（1）的顶部掩埋有多级场板（3），其特征在于：所述功率芯片（2）焊接在多级场板（3）的上表面，且功率芯片（2）与多级场板（3）之间采用高熔点焊片（4）连接；所述功率芯片（2）的下表面连接有欧姆接触电极（5），功率芯片（2）的上表面连接有阳极金属（6），所述阳极金属（6）上引出有金属电极（7）；所述欧姆接触电极（5）的上表面焊接有阴极金属（8）；所述多级场板（3）两侧的半导体衬底（1）为边缘终端区（9），所述边缘终端区（9）的中心刻蚀有终端深槽（10），且终端深槽（10）从多级场板（3）向边缘终端区（9）两侧延伸。