[实用新型]一种碳化硅单晶炉有效
| 申请号： | 201620617613.4 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN205856655U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙)32208 | 代理人： | 丁骞 |
| 地址： | 214264 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部设有旋转机构，在所述坩埚内设有物料室，在所述坩埚盖下端面设有籽晶，所述籽晶至少设置一个，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的1/2‑7/10，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5‑4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。本实用新型结构设置合理，控制精确，产品质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 单晶炉 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶炉，其特征在于：它包括坩埚（1），在所述坩埚（1）上方设有坩埚盖（2），在所述坩埚（1）底部设有旋转机构（3），在所述坩埚（1）内设有物料室（4），在所述坩埚盖（2）下端面设有籽晶（5），所述籽晶（5）至少设置一个，在所述坩埚（1）外部设有保温层（6），所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都设在反应室（7）内，在所述反应室（7）外部设有感应线圈（8），所述感应线圈（8）的分布高度占反应室（7）高度的1/2‑7/10，所述坩埚（1）的内径长度占反应室（7）内径长度的3/5‑4/5，在所述反应室（7）上设有压力控制装置（9）和监测装置（10）。
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