[实用新型]一种新型碳化硅单晶炉

摘要

本实用新型涉及一种新型碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部内侧设有下晶体生长平台，在所述坩埚盖下端面上设有上晶体生长平台，在所述坩埚内侧壁上设有物料室，在所述坩埚底部外侧设有旋转机构，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的2/3‑4/5，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5‑4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。本实用新型结构设置合理，控制精确，产品质量高。

主权项

一种新型碳化硅单晶炉，其特征在于：它包括坩埚（1），在所述坩埚（1）上方设有坩埚盖（2），在所述坩埚（1）底部内侧设有下晶体生长平台（3），在所述坩埚盖（2）下端面上设有上晶体生长平台（4），在所述坩埚（1）内侧壁上设有物料室（5），在所述坩埚（1）底部外侧设有旋转机构（6），在所述坩埚（1）外部设有保温层（7），所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都设在反应室（8）内，在所述反应室（8）外部设有感应线圈（9），所述感应线圈（9）的分布高度占反应室（8）高度的2/3‑4/5，所述坩埚（1）的内径长度占反应室（8）内径长度的3/5‑4/5，在所述反应室（8）上设有压力控制装置（10）和监测装置（11）。