[实用新型]硅片清洁降温结构有效
| 申请号： | 201620622875.X | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN205692800U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 谢金晶;衡阳;周彬;郑旭然 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B5/02 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅片清洁降温结构，所述硅片清洁降温结构对应于丝网印刷机入口的传输机构设置，并且相对于所述丝网印刷机的入口定位设置，硅片清洁降温结构包括至少一对气流通道，每对气流通道中的两个气流通道以传输机构传输平面的垂直平分面为基准对称设置于传输机构传输方向的两侧，该垂直平分面平行于传输机构的传输方向；各气流通道中的气流方向垂直于所述传输机构的传输方向，并且与传输机构的传输平面之间夹角为锐角；每对气流通道中两个气流通道的气流方向的交点位于传输机构上硅片的中心线上，该中心线平行于传输机构的传输方向。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 清洁 降温 结构 | ||
【主权项】：
一种硅片清洁降温结构，其特征在于：所述硅片清洁降温结构对应于丝网印刷机入口的传输机构设置，并且相对于所述丝网印刷机的入口定位设置，硅片清洁降温结构包括至少一对气流通道，每对气流通道中的两个气流通道以传输机构传输平面的垂直平分面为基准对称设置于传输机构传输方向的两侧，该垂直平分面平行于传输机构的传输方向；各气流通道中的气流方向垂直于所述传输机构的传输方向，并且与传输机构的传输平面之间夹角为锐角；每对气流通道中两个气流通道的气流方向的交点位于传输机构上硅片的中心线上，该中心线平行于传输机构的传输方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
