[实用新型]一种基于CMOS工艺的高精度全硅振荡器

摘要

本实用新型公开了一种基于CMOS工艺的高精度全硅振荡器，包括壳体，所述壳体内设有硅片，所述硅片连接有引脚，所述壳体上设有挂钩，所述挂钩下侧设有滑槽，所述滑槽上设有转轴，所述转轴上设有支架，所述支架上设有锁扣，所述壳体底部设有橡胶密封圈，所述壳体内设有恒温层，所述恒温层上设有气孔，所述恒温层内设有换热板，所述换热板内设有气管，所述气管连接气孔，所述气孔连接有气泵，所述气泵内设有加热阻丝，所述加热阻丝连接有电压控制器，本实用新型可以随时更换壳体，壳体内的温度也可以保持恒定，本实用新型具有较高的商业推广价值。

主权项

一种基于CMOS工艺的高精度全硅振荡器，包括壳体（1），所述壳体（1）内设有硅片（2），所述硅片（2）连接有引脚（3），其特征在于，所述壳体（1）上设有挂钩（4），所述挂钩（4）下侧设有滑槽（5），所述滑槽（5）上设有转轴（6），所述转轴（6）上设有支架（7），所述支架（7）上设有锁扣（8），所述壳体（1）底部设有橡胶密封圈（9），所述壳体（1）内设有恒温层（10），所述恒温层（10）上设有气孔（11），所述恒温层（10）内设有换热板（12），所述换热板（12）内设有气管（13），所述气管（13）连接气孔（11），所述气孔（11）连接有气泵（14），所述气泵（14）内设有加热阻丝（15），所述加热阻丝（15）连接有电压控制器（16）。