[实用新型]一种用于等离子蚀刻切割的芯片结构有效
| 申请号： | 201620644203.9 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN205752141U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李园园;肖金磊;王国兵;孟红霞;陈志龙 | 申请（专利权）人： | 北京同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型一种用于等离子刻蚀切割的芯片结构，包括芯片钝化层、划片槽、芯片金属层和硅衬底，其中，芯片钝化层由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层；划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，以确保刻蚀精度可控。本实用新型芯片结构中，芯片钝化层采用由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层三层设计，划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，适用于等离子刻蚀切割芯片，具有缩短产品加工周期，增加芯片数量，降低成本，并提高芯片良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子 蚀刻 切割 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种用于等离子刻蚀切割的芯片结构，包括芯片钝化层、划片槽、芯片金属层和硅衬底，其特征在于，芯片钝化层由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层；划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，以确保刻蚀精度可控。
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