[实用新型]一种单晶硅芯片压力传感装置

摘要

本实用新型公开了一种单晶硅芯片压力传感装置，其结构包括外管、导管、保护线路器、壳体、保护膜、传感板、单晶硅芯片、磁铁、衬底、单晶硅层、单晶硅薄膜、真空腔,所述壳体连接所述导管，所述导管两端连接着所述外管，所述壳体内部连接着所述保护线路器，所述导管连接着所述传感板，所述传感板连接着所述保护膜，所述传感板连接着所述单晶硅芯片，所述单晶硅芯片设有衬底，所述衬底之上设置有所述单晶硅层，所述单晶硅层设有所述单晶硅薄膜，所述单晶硅薄膜与所述衬底之间形成所述真空腔，所述真空腔在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构。本实用新型产品单晶硅芯片抗压性能高，不易损坏，传感信号不容易受到干扰。

主权项

一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于：其结构包括外管（1）、导管（2）、保护线路器（3）、壳体（4）、保护膜（5)、传感板（6）、单晶硅芯片（7）、磁铁（8）、衬底（10）、单晶硅层（12）、单晶硅薄膜（9）、以及真空腔（11),所述壳体（4）连接所述导管（2），所述导管（2）两端连接着所述外管（1），所述壳体（4）内部连接着所述保护线路器（3），所述导管（2）连接着所述磁铁（8），所述导管（2）连接着所述传感板（6），所述传感板（6）连接着所述保护膜（5)，所述传感板（6）连接着所述单晶硅芯片（7），所述单晶硅芯片（7）设有衬底（10），所述衬底（10）之上设置有所述单晶硅层（12），所述单晶硅层（12）设有所述单晶硅薄膜（9），所述单晶硅薄膜（9）与所述衬底（10）之间形成所述真空腔（11）。