[实用新型]一种新型H桥高压变频器功率单元有效
| 申请号： | 201620648311.3 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN205847112U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 袁小峰;黄林波;傅永伟;姜廷阳;干永革 | 申请（专利权）人： | 中冶赛迪电气技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型H桥高压变频器功率单元，包括基体（1）、上盖（2）和前面板（3）、检测控制系统（11）、进线端子（12）、出线端子（13）、散热器（14）、快熔（21）、整流二极管（22）、IGBT功率模块（23）、均压电阻（24）、电容组（25）、旁路可控硅（26）和吸收电容（28）；所述基体、上盖和前面板形成一密闭的壳体，所述检测控制系统、散热器（14）、快熔（21）、整流二极管（22）、IGBT功率模块（23）、均压电阻（24）、电容组（25）、旁路可控硅（26）和吸收电容（28）均设置于壳体内。本实用新型通过将元器件合理布置，减少了接点数量，优化了走线路径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高压 变频器 功率 单元 | ||
【主权项】：
一种新型H桥高压变频器功率单元，包括基体(1)、上盖(2)和前面板(3)、检测控制系统(11)、进线端子(12)、出线端子(13)、散热器(14)、快熔(21)、整流二极管(22)、IGBT功率模块(23)、均压电阻(24)、电容组(25)、旁路可控硅(26)和吸收电容(28)；其特征在于：所述基体、上盖和前面板形成一密闭的壳体，所述检测控制系统、散热器(14)、快熔(21)、整流二极管(22)、IGBT功率模块(23)、均压电阻(24)、电容组(25)、旁路可控硅(26)和吸收电容(28)均设置于壳体内。
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