[实用新型]一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构有效
| 申请号： | 201620667076.4 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN205723548U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;黎小林;许树楷;李继鲁;窦泽春;刘国友;彭勇殿;肖红秀 | 申请（专利权）人： | 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心;株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 510623 广东省广州市天河区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 igbt 模组 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种压接式IGBT子模组，封装于IGBT模块封装结构中，其特征在于，包括：IGBT芯片，所述IGBT芯片包括两面，其中所述IGBT的发射极与栅极位于同一面，所述IGBT芯片的集电极位于另一面；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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