[实用新型]基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器和倒装芯片有效
| 申请号： | 201620669380.2 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN205863169U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20;G09F9/33 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙)32238 | 代理人： | 吴静安,赵超 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器和倒装芯片，无间隙微显示器包括基底和设置在基底上呈阵列排布的多个μLED单元，每个μLED单元包括由近及远依次设置在基底上的N型层、发射层和P型层，呈阵列排布的相邻μLED单元之间设有离子隔离栅；所述离子隔离栅的深度到达N型层底端。本实用新型提供的基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器通过离子隔离栅将各个μLED单元隔离，不会导致μLED阵列中相邻像素之间的相互干扰而产生串扰现象，进而可提高氮化物μLED阵列微型显示器的对比度和分辨率，还能实现更少的表面损伤和更高的收益。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 led 阵列 间隙 显示器 倒装 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器，包括基底和设置在基底上呈阵列排布的多个μLED单元，每个μLED单元包括由近及远依次设置在基底上的N型层、发射层和P型层，其特征在于：呈阵列排布的相邻μLED单元之间设有离子隔离栅；所述离子隔离栅的深度到达N型层底端。
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