[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201620669769.7 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN206040631U | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 培中希;黄威廉;曹雷蒙;梁麦可 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 美国亚利桑那*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及一种半导体装置。所述半导体装置包括半导体裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的传导垫；第一介电层，其在所述第一裸片表面上且包括第一介电层开口，所述传导垫通过所述第一介电层开口而暴露；第一再分布层，其包括在所述第一介电层上且在所述第一介电层开口中的第一传导层，其中所述第一传导层通过所述第一介电层开口而电连接到所述传导垫；第二再分布层，其包括在所述第一传导层上的第二传导层；和在所述第二传导层上的抗氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的传导垫；第一介电层(DL)，其在所述第一裸片表面上且包括第一介电层开口，所述传导垫通过所述第一介电层开口而暴露；第一再分布层，其包括在所述第一介电层上且在所述第一介电层开口中的第一传导层，其中所述第一传导层通过所述第一介电层开口而电连接到所述传导垫；第二再分布层，其包括在所述第一传导层上的第二传导层；和在所述第二传导层上的抗氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾马克科技公司，未经艾马克科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620669769.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
