[实用新型]一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201620672052.8 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN205692795U 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 宫奎;白明基;段献学;李贺飞 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 230012 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备,用以通过所述等离子刻蚀装置实现对被刻蚀基板的均匀刻蚀,避免被刻蚀基板由于刻蚀不均匀而造成的不良,提高产品的质量。所述等离子体刻蚀装置,包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极,所述装置还包括:固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机,其中,所述电机位于所述反应腔室的外部,用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。
搜索关键词: 一种 等离子体 刻蚀 装置 设备
【主权项】:
一种等离子体刻蚀装置,包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极,其特征在于,所述装置还包括:固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机,其中,所述电机位于所述反应腔室的外部,用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。
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