[实用新型]低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔有效
申请号: | 201620672597.9 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN205839124U | 公开(公告)日: | 2016-12-28 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/52;C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新区郭*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔,其特征在于它由腔体内的配气盘、腔体、气体流量控制器、静电吸盘、8英寸晶圆和托盘组成,所述配气盘放置于腔体内部上方,用于生产中输入反应气体;所述静电吸盘放置于配气盘下方,用于吸附晶圆和控制晶圆在反应过程中的温度;所述托盘和晶圆置于静电吸盘上;此反应刻蚀腔可大规模用来生长类金刚石薄膜。将应用材料的MxP刻蚀腔作为基本腔体,并在它的基础上加以改进,使之成为大规模生产类金刚石薄膜的专用设备。并在此基础上研究类金刚石薄膜在不同条件下的成分,晶体结构,和物理特性。由于所用的晶圆是6英寸或更小的晶圆,因此8英寸的MxP腔需要有下列的改进:晶圆托盘和对晶圆托盘的温度控制。 | ||
搜索关键词: | 低温 低压 金刚石 化学 沉积 反应 | ||
【主权项】:
低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔,其特征在于它由腔体内的配气盘、腔体、气体流量控制器、静电吸盘、8英寸晶圆和托盘组成,所述配气盘放置于腔体内部上方,用于生产中输入反应气体;所述静电吸盘放置于配气盘下方,用于吸附晶圆和控制晶圆在反应过程中的温度;所述托盘和晶圆置于静电吸盘上;此反应刻蚀腔可大规模用来生长类金刚石薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的