[实用新型]低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔有效

专利信息
申请号: 201620672597.9 申请日: 2016-06-30
公开(公告)号: CN205839124U 公开(公告)日: 2016-12-28
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/52;C23C16/458
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦东新区郭*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔,其特征在于它由腔体内的配气盘、腔体、气体流量控制器、静电吸盘、8英寸晶圆和托盘组成,所述配气盘放置于腔体内部上方,用于生产中输入反应气体;所述静电吸盘放置于配气盘下方,用于吸附晶圆和控制晶圆在反应过程中的温度;所述托盘和晶圆置于静电吸盘上;此反应刻蚀腔可大规模用来生长类金刚石薄膜。将应用材料的MxP刻蚀腔作为基本腔体,并在它的基础上加以改进,使之成为大规模生产类金刚石薄膜的专用设备。并在此基础上研究类金刚石薄膜在不同条件下的成分,晶体结构,和物理特性。由于所用的晶圆是6英寸或更小的晶圆,因此8英寸的MxP腔需要有下列的改进:晶圆托盘和对晶圆托盘的温度控制。
搜索关键词: 低温 低压 金刚石 化学 沉积 反应
【主权项】:
低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔,其特征在于它由腔体内的配气盘、腔体、气体流量控制器、静电吸盘、8英寸晶圆和托盘组成,所述配气盘放置于腔体内部上方,用于生产中输入反应气体;所述静电吸盘放置于配气盘下方,用于吸附晶圆和控制晶圆在反应过程中的温度;所述托盘和晶圆置于静电吸盘上;此反应刻蚀腔可大规模用来生长类金刚石薄膜。
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