[实用新型]激光诱导CVD设备有效
申请号: | 201620675956.6 | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN205839125U | 公开(公告)日: | 2016-12-28 |
发明(设计)人: | 吴卫东;彭丽萍;王雪敏;黎维华;樊龙;蒋涛;王新明;湛治强;沈昌乐;阎大伟;赵妍;邓青华 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙)32276 | 代理人: | 项丽 |
地址: | 621999*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种激光诱导CVD装置,包括真空腔体,抽气系统,真空计,气体输运系统以及激光器。真空腔体是化学反应发生的场所,气体输运系统把发生反应的物质输送到真空腔内,激光给化学反应的发生提供能源,抽气系统保证化学反应的真空环境,真空计测试腔体的真空度。其中的气体输运系统采用脉冲进气和特殊的管道口设计,特殊的管道口设计保证了气体以一定流量均匀的进入真空腔体,配合优化的气体流量和真空度可实现气体以分子流的方式进入真空腔体,脉冲进气可进一步的实现气体的精确控制。本实用新型通过脉冲进气和特殊管道口的设计,在激光的作用下可实现聚合物的单分子层化学气相沉积。 | ||
搜索关键词: | 激光 诱导 cvd 设备 | ||
【主权项】:
一种激光诱导CVD设备,其特征在于:包括激光照射单元(1)、真空腔体(2)和气体输送单元(3),所述真空腔体连通抽真空设备获得真空,该真空腔体内设有用于将待沉积薄膜的基片进行固定的样品固定装置(21);所述气体输送单元包括第一主管道(31)、第二主管道(36)、第一支管(32)、第二支管(33)、第三支管(34)和冰水浴装置(35),所述冰水浴装置包括用于盛装冰水混合物的大烧杯(351),以及放置于该大烧杯的冰水混合物内用于盛装待聚合液体的小烧瓶(352);所述第一主管道的入口端连接气体源,出口端叉分形成所述第一支管(32)和第二支管(33)的入口端;所述第二支管的出口端以及第三支管的入口端分别接入所述冰水浴装置的小烧瓶内,该第三支管的出口端和所述第一支管的出口端汇合形成所述第二主管道的入口端,该第二主管道的出口端设有气体喷头并伸入所述真空腔体内,该气体喷口正对置于所述样品固定装置上的基片;所述真空腔体上还设有观察窗口,所述激光照射单元发出的激光经该观察窗口照射至置于所述样品固定装置上的基片上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的