[实用新型]具有靠近磁场自动预警的移动硬盘

摘要

本实用新型公开了一种具有靠近磁场自动预警的移动硬盘，包括硬盘本体(1)和数据连接口(2)，数据连接口(2)设置在硬盘本体(1)的外侧部，还包括发光二极管VL(3)、扬声器BL(4)、开关S(5)和控制电路，发光二极管VL(3)、开关S(5)和扬声器BL(4)设置在硬盘本体(1)外壳上，控制电路设置在硬盘本体(1)内，所述控制电路包括干簧管SA、电阻R1～R5、晶体三极管VT1～VT5、继电器K、电解电容C1～C2、音效集成芯片KD9561、二极管VD和直流电源GB。能在移动硬盘周围出现较强磁场时，发出声光报警，从而使用人能快速将移动硬盘与产生磁场的物品分开，保证移动硬盘内数据的安全。

主权项

一种具有靠近磁场自动预警的移动硬盘，包括硬盘本体(1)和数据连接口(2)，数据连接口(2)设置在硬盘本体(1)的外侧部，其特征在于，还包括发光二极管VL(3)、扬声器BL(4)、开关S(5)和控制电路，发光二极管VL(3)、开关S(5)和扬声器BL(4)设置在硬盘本体(1)外壳上，控制电路设置在硬盘本体(1)内，所述控制电路包括干簧管SA、电阻R1～R5、晶体三极管VT1～VT5、继电器K、电解电容C1～C2、音效集成芯片KD9561、二极管VD和直流电源GB，干簧管SA的一端与晶体三极管VT1的集电极、二极管VD的负极、继电器K的电磁线圈一端、电解电容C2的正极、继电器K的常开触头一端和开关S(5)的一端连接，干簧管SA的另一端通过电阻R1与晶体三极管VT1的基极和电阻R2的一端连接，晶体三极管VT1的发射极与电解电容C1的正极和电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与晶体三极管VT2的基极连接，晶体三极管VT2的集电极与二极管VD的正极、继电器K的电磁线圈另一端和晶体三极管VT3的集电极连接，晶体三极管VT2的发射极与晶体三极管VT3的基极连接，继电器K的常开触头另一端与音效集成芯片KD9561的1脚、音效集成芯片KD9561的2脚、发光二极管VL(3)的正极和扬声器BL(4)的一端连接，集成芯片KD9561的4脚通过电阻R4与集成芯片KD9561的5脚连接，集成芯片KD9561的6脚通过电阻R5与晶体三极管VT4的基极连接，晶体三极管VT4的集电极与发光二极管VL(3)的负极、扬声器BL(4)的另一端和晶体三极管VT5的集电极连接，晶体三极管VT4的发射极与晶体三极管VT5的基极连接，开关S(5)的另一端与直流电源GB的正极连接，直流电源GB的负极与晶体三极管VT5的发射极、音效集成芯片KD9561的3脚、电解电容C2的负极、晶体三极管VT3的发射极、电解电容C1的负极和电阻R2的另一端连接。