[实用新型]薄膜晶体管、显示基板及显示器件有效
| 申请号： | 201620686361.0 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN205723551U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吕振华;尤杨;王世君;陈希;薛艳娜;李月;包智颖;张勇;肖文俊;王磊;陈小川;姜文博;米磊 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、显示基板及显示器件。所述薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与所述源电极接触的源电极接触区、与所述漏电极接触的漏电极接触区,以及位于所述源电极接触区和漏电极接触区之间的沟道区。其中，所述源电极接触区和漏电极接触区的厚度小于所述沟道区的厚度，从而能够提高薄膜晶体管的导电性能，增大开态电流，改善薄膜晶体管的性能。另外，由于无需增加沟道的宽长比来增大开态电流，因此，薄膜晶体管的尺寸可以做得更小，对提升高分辨率显示产品的开口率非常有利。而且相对于现有技术中同样尺寸大小的薄膜晶体管，本实用新型的薄膜晶体管像素充电率更好。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与所述源电极接触的源电极接触区、与所述漏电极接触的漏电极接触区,以及位于所述源电极接触区和漏电极接触区之间的沟道区，其特征在于，所述源电极接触区和漏电极接触区的厚度小于所述沟道区的厚度。
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