[实用新型]一种改善锗单晶片总厚度变化的装置有效

专利信息
申请号: 201620689709.1 申请日: 2016-07-04
公开(公告)号: CN205765548U 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 李雪峰;肖祥江;吕春富;田东;张李根;董桂杰;段明龙 申请(专利权)人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
主分类号: B24B37/30 分类号: B24B37/30
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司53114 代理人: 和琳
地址: 650000 云南省昆明市高新*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 一种改善锗单晶片总厚度变化的装置,涉及晶体加工技术领域,尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置,该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成,陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫,无蜡垫内设置圆形凹槽,圆垫放置在无蜡垫的圆形凹槽内,圆形铁盘压在圆垫上,使所有圆垫表面处于同一平面,圆形铁盘表面中央设置有圆柱形铁块。本实用新型的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置,设计科学,结构简单,使用方便,能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙,让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面,进而改善了锗单晶片的总厚度变化,圆垫为聚氯乙烯材料,使用时间长,有利于降低成本。
搜索关键词: 一种 改善 晶片 厚度 变化 装置
【主权项】:
一种改善锗单晶片总厚度变化的装置,其特征在于该装置由陶瓷盘(1)、无蜡垫(2)、圆垫(3)、圆形铁盘(4)和圆柱形铁块(6)构成,陶瓷盘(1)表面粘有若干个无蜡垫(2),无蜡垫(2)内设置圆形凹槽(9),圆垫(3)放置在无蜡垫(2)的圆形凹槽(9)内,圆形铁盘(4)压在圆垫(3)上,使所有圆垫(3)表面处于同一平面,圆形铁盘(4)表面中央设置有圆柱形铁块(6)。
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