[实用新型]一种感性负载电压脉宽调制去磁电路有效

专利信息
申请号: 201620701066.8 申请日: 2016-06-29
公开(公告)号: CN205811980U 公开(公告)日: 2016-12-14
发明(设计)人: 姜文耀;陶勇 申请(专利权)人: 浙江桃园科技有限公司
主分类号: H03K17/695 分类号: H03K17/695
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 林怀禹
地址: 310013 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种感性负载电压脉宽调制去磁电路。包括输入保护整流电路和去磁主电路。输入保护整流电路由TVS管或者双向稳压二极管,四个整流二极管组成;去磁主电路由NMOS管M1、负载L1、续流二极管D6、去磁稳压二极管D8(或电阻)、自举升压电容C1、自举升压辅助二极管D7、自举升压电容充放电回路控制二极管D10(可去除)、自举分压电阻R1(可去除)、自举分压电阻R2(阻值可为零)、驱动分压电阻R3、驱动分压电阻R4(阻值可为零)、脉宽调制阶段导通NMOS管M2(或三极管)、防NMOS管击穿稳压二极管D9(可去除)组成。本实用新型电路响应速度快,电路简单,电路成本低,功耗低,去磁快。
搜索关键词: 一种 感性 负载 电压 脉宽调制 磁电
【主权项】:
一种感性负载电压脉宽调制去磁电路,其特征在于:包括输入保护整流电路和去磁主电路;输入保护整流电路,包括整流四个二极管D2~ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1;去磁主电路,包括NMOS管M1,NMOS管M2,三极管Q1,负载L1,稳压二极管D8,二个二极管D6、D7,电容C1和四个电阻R1~R4;负载L1的一端分别接稳压二极管D8的正极、NMOS管M2的源极或三极管Q1的发射极、电阻R3的一端和二极管D7的正极后接VCC,负载L1的另一端分别接二极管D6的正极和NMOS管M1的漏极,NMOS管M1的源极接GND,NMOS管M1的删极为输入保护整流电路输入端,二极管D6的正极接电阻R2的一端,二极管D7的负极分别接电阻R1的一端、和经电阻R4接电阻R3的另一端、接NMOS管M2的删极或三极管Q1的基极,电容C1的另一端接电阻R1的另一端和电阻R3的另一端的共接点,NMOS管M2的漏极或三极管Q1的集电极,接稳压二极管D6的负极和稳压二极管D8的负极共接点。
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