[实用新型]一种大功率MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620710825.7 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN205944100U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 郑石磊;郑振军;郑旭洁 | 申请（专利权）人： | 上海迈股微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率MOS场效应晶体管，包括源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽，所述源极位于最顶层，沟槽位于源极的下方并且沟槽与P型基区相连，沟槽内部填充有多晶硅，沟槽的下方与N型外延相连，漏极位于最底层并且漏极的上端与N型外延的下端相连，源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽均通过金属铝与栅极相连。该产品结构简单，设计合理，故障率低，使用安全性和运行稳定性好；该装置通过在栅极上加超过阈值电压的正电压来改变形成的导电沟槽的状况，从而达到控制漏极电流的目的；该产品的铝层附着能力好，避免了铝层出现尖角漏电流大的问题，使用寿命长，使用效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 mos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种大功率MOS场效应晶体管，其特征在于，包括源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽，所述源极位于最顶层，沟槽位于源极的下方并且沟槽与P型基区相连，沟槽内部填充有多晶硅，沟槽的下方与N型外延相连，漏极位于最底层并且漏极的上端与N型外延的下端相连，源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽均通过金属铝与栅极相连。
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