[实用新型]一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器有效
| 申请号： | 201620715968.7 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN205861754U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫,段晓玲 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本新型涉及一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器，包括基片，基片上方沉积有交换偏置层，交换偏置层由反铁磁材料构成，交换偏置层上方沉积有AMR磁电阻层，磁电阻层上方设置有巴贝电极，交换偏置层、AMR磁电阻层经半导体加工工艺形成多个AMR磁电阻条，巴贝电极规律排布在每一个AMR磁电阻条上，AMR磁电阻条串联连接成AMR磁电阻元件，AMR磁电阻元件组成惠斯通电桥，磁电阻元件上方沉积有绝缘层，绝缘层上方设置有电流导线层，电流导线层上方沉积有绝缘保护层。本新型提高了在微弱磁场下的灵敏度，扩大线性工作范围，利用反铁磁层与磁阻层间的交换耦合特性，取消了复位/置位装置，降低功耗与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无需 复位 装置 各向异性 磁电 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器，其特征在于：包括基片，在所述基片上方沉积有交换偏置层，所述交换偏置层由反铁磁材料构成，在所述交换偏置层上方沉积有AMR磁电阻层，所述的AMR磁电阻层上方设置有巴贝电极，所述的交换偏置层、所述的AMR磁电阻层经半导体加工工艺形成多个AMR磁电阻条，所述的巴贝电极规律排布在每一个AMR磁电阻条上，所述的AMR磁电阻条串联连接成AMR磁电阻元件，所述的AMR磁电阻元件组成惠斯通电桥，所述的AMR磁电阻元件上方沉积有绝缘层，所述的绝缘层上方设置有电流导线层，在所述电流导线层上方沉积有绝缘保护层。
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