[实用新型]一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装有效
| 申请号： | 201620731171.6 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN206271663U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张珊珊;林挺宇;林海斌;蔡旭 | 申请（专利权）人： | 希睿（厦门）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L25/16;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司11241 | 代理人： | 李云鹏 |
| 地址： | 361006 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装。所述晶圆级封装具有光感应晶片、发光晶片、光学封罩和防护封罩；光感应晶片位于光学封罩内，光学封罩位于防护封罩内；其特征在于，所述封装内的光感应晶片具有硅穿孔，所述封装的底层是RDL布线层，所述硅穿孔和所述RDL布线层电连接。本实用新型采用具有硅通孔结构的光感应晶片和RDL布线层相结合实现所述晶圆级封装；达成了弃用PCB基板实现薄型化和高效生产之目的与效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 环境 接近 传感器 晶圆级 封装 | ||
【主权项】：
一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装，具有光感应晶片、发光晶片、光学封罩和防护封罩；光感应晶片位于光学封罩内，光学封罩位于防护封罩内；其特征在于，所述封装内的光感应晶片具有硅穿孔，所述封装的底层是RDL布线层，所述硅穿孔和所述RDL布线层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希睿（厦门）科技有限公司，未经希睿（厦门）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620731171.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种快恢复二极管
- 下一篇：薄膜电池刻线宽度的测量系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
