[实用新型]一种MOCVD系统用的加热盘有效
| 申请号： | 201620732186.4 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN205845909U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 靳恺;方聪;刘向平;冯钊俊;张露;王雷 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/205 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOCVD系统用的加热盘，包括有加热盘本体，还包括有易熔导电材料和电极；所述加热盘本体由上盖和底座组成，所述底座上形成有环形沟道，所述易熔导电材料填充在环形沟道内，所述上盖盖在底座上，其下表面与底座的上表面贴合处是完全密封的，以保证易熔导电材料完全在环形沟道内流动，而不会溢出，并且，所述上盖与环形沟道之间预留有供易熔导电材料热膨胀的空间；所述电极安装在环形沟道的末端，其上部分嵌入底座与易熔导电材料充分接触，其下部分形成有安装螺纹，能够安装电源线。本实用新型的机械强度高，热辐射均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 系统 加热 | ||
【主权项】：
一种MOCVD系统用的加热盘，包括有加热盘本体，其特征在于：还包括有易熔导电材料和电极；所述加热盘本体由上盖和底座组成，所述底座上形成有环形沟道，所述易熔导电材料填充在环形沟道内，所述上盖盖在底座上，其下表面与底座的上表面贴合处是完全密封的，以保证易熔导电材料完全在环形沟道内流动，而不会溢出，并且，所述上盖与环形沟道之间预留有供易熔导电材料热膨胀的空间；所述电极安装在环形沟道的末端，其上部分嵌入底座与易熔导电材料充分接触，其下部分形成有安装螺纹，能够安装电源线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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