[实用新型]一种大电流功率半导体器件的封装结构有效
| 申请号： | 201620733119.4 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN205984966U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;朱久桃;叶鹏;杲永亮 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大电流功率半导体器件的封装结构，包括环氧树脂封装体、引线框架、半导体芯片和引线，半导体芯片背面朝下焊接在引线框架的装片基岛上，引线框架引脚区包含第一管脚、第二管脚、和第三管脚，半导体芯片的第一极通过引线焊接在第一管脚的第一焊接区上，所述第二极通过引线焊接在第三管脚的第二焊接区上，第三管脚的管脚宽度大于第一管脚和第二管脚的管脚宽度；该结构通过增加第三管脚的宽度，同时结合芯片的实际电流能力适当增大第三管脚顶端第二焊接区的面积，使其能焊接更多的金属线，同时使用金属片代替金属线，均能提升的功率封装器件的过电流能力，且降低了封装器件的导通电阻，最大限度的体现芯片的实际电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 功率 半导体器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大电流功率半导体器件的封装结构，包括环氧树脂封装体（1）、引线框架（2）、半导体芯片（3）和引线（4），所述引线框架（2）包括环氧树脂封装体（1）外的散热区（7）、环氧树脂封装体（1）内的装片基岛（8）和引脚区（9），所述散热区（7）与装片基岛（8）连接，所述引脚区（9）包含第一管脚（91）、第二管脚（92）和第三管脚（93），所述第二管脚（92）位于第一管脚（91）和第三管脚（93）之间，所述第一管脚（91）顶端设有第一焊接区（911），所述第二管脚（92）与装片基岛（8）连接，所述第三管脚（93）顶端设有第二焊接区（931），且第三管脚（93）的管脚宽度大于第一管脚（91）和第二管脚（92）的管脚宽度；所述半导体芯片（3）的正面设有第一极（5）和第二极（6），背面设有第三极（10），所述半导体芯片（3）背面的第三极（10）焊接在引线框架（2）的装片基岛（8）上，所述第一极（5）通过引线（4）焊接在第一管脚（91）的第一焊接区（911）上，所述第二极（6）通过引线（4）焊接在第三管脚（93）的第二焊接区（931）上，所述第二管脚（92）通过引线框架（2）的装片基岛（8）与半导体芯片（3）背面的第三极（10）连接；所述环氧树脂封装体（1）内封装有半导体芯片（3）、引线（4）、装片基岛（8）、第一焊接区（911）、第二焊接区（931）和第三管脚（93）的顶端。
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