[实用新型]沟槽功率器件

摘要

本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线宽进一步做的更小。从而在现有光刻设备条件下实现更小线宽和更大的套刻余量，进而实现更小线宽的器件结构的生产，同时使产品的参数和可靠性满足要求。

主权项

一种沟槽功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一沟槽和第二沟槽；位于所述半导体衬底上及所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁上的栅介电层；位于所述第一沟槽和第二沟槽中的栅极材料层，位于所述第一沟槽和第二沟槽中的栅极材料层上的第一介质层；位于所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧的P阱；位于所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上的N型区；位于所述半导体衬底上的覆盖介质层；接触孔，所述接触孔贯穿所述覆盖介质层、所述栅介电层及所述半导体衬底，所述接触孔位于所述第一沟槽两侧和所述第二沟槽中；位于所述接触孔底部的P型区。