[实用新型]沟槽功率器件

摘要

本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、多晶硅材料层设置于所述第一沟槽中，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔离结构高于第二沟槽、第三沟槽的情况，使得半导体衬底表面平整，有效解决由于传统静电隔离结构的不平坦使后续的沉积工艺台阶覆盖能力不佳，特别是光刻出现匀胶不良，曝光异常，台阶处光刻胶偏薄无法有效作为刻蚀阻挡层等问题，从而实现器件结构，使参数和可靠性满足产品的要求。

主权项

一种沟槽功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽及第三沟槽的深度；位于所述第一沟槽所在区域的半导体衬底表面及所述第一沟槽的底壁和侧壁的第一阻止层；位于所述第二沟槽和第三沟槽所在区域的半导体衬底表面及第二沟槽和第三沟槽的底壁和侧壁上的栅介电层；位于第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽中的填充材料层，且所述栅介电层、第一阻止层和填充材料层的上表面齐平；位于所述第一沟槽内的填充材料层中的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区间隔分布，且掺杂类型不同，共同作为静电隔离结构；位于所述半导体衬底中第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽两侧的P阱；位于所述半导体衬底中第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽两侧所述P阱上的N型区；位于所述半导体衬底上的介质层；接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层并分别延伸至第一沟槽的第一掺杂区中、第二沟槽的填充材料层中及第三沟槽一侧的P阱中；以及位于所述接触孔底部的P型区。