[实用新型]一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件有效
| 申请号： | 201620745547.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN206098396U | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 高秀秀;陈利;张军亮;高耿辉 | 申请（专利权）人： | 厦门集顺半导体制造有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件，包括透明阴极N+区、外延N‑区、埋栅PBL区、衬底N‑区、透明阳极P+区，埋栅PBL区位于外延N‑区和衬底N‑区之间，外延N‑区和衬底N‑区都与埋栅PBL区相连，透明阴极N+区与衬底N‑区相连，透明阳极P+区与外延N‑区相连，透明阳极P+区引出A极，埋栅PBL区的两侧都引出G极，透明阴极N+区引出K极。本实用新型在关闭状态时，漏电流小；导通状态时，功耗小，同时泄放ESD电流容量大，开关响应速度快，能在高压和低压之间自如切换；本实用新型工作安全、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟埋栅 sith esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件，其特征在于，包括透明阴极N+区(4)、外延N‑区(3)、埋栅PBL区(2)、衬底N‑区(1)、透明阳极P+区(5)，所述埋栅PBL区(2)位于外延N‑区(3)和衬底N‑区(1)之间，所述外延N‑区(3)和衬底N‑区(1)都与埋栅PBL区(2)相连，所述透明阴极N+区(4)与衬底N‑区(1)相连，所述透明阳极P+区(5)与外延N‑区(3)相连，所述透明阳极P+区(5)引出A极，所述埋栅PBL区(2)的两侧都引出G极，所述透明阴极N+区(4)引出K极。
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