[实用新型]沟槽功率器件有效
| 申请号： | 201620745850.9 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN205911313U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;邵凯;夏志平;赵金波;李云飞 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过将第一沟槽和第二沟槽顶部的栅极材料层氧化形成第二氧化层，并在第一沟槽和第二沟槽中栅极材料层顶部侧面留有阻止层，在第二沟槽中栅极材料层顶部两侧留有部分第二氧化层，再通过形成侧墙，从而使整个槽栅结构均被保护住，同时还减少了介质层淀积的步骤及该步骤产生的表面不平坦化，减少接触孔光刻层次，在现有光刻设备条件下使槽栅结构在加工工艺中不受到接触孔不稳定工艺的影响，实现更小线宽产品自对准功能，降低生产成本，使产品的参数和可靠性满足要求。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一阻止层；位于所述第一阻止层上的第二阻止层；位于所述第二阻止层上的第三阻止层；贯穿所述第三阻止层、第二阻止层、第一阻止层并延伸至所述半导体衬底中的第一沟槽和第二沟槽；位于所述半导体衬底中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁上的栅介电层；位于所述第一沟槽和第二沟槽中的栅极材料层；位于所述栅极材料层上的第二氧化层；位于所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧的P阱；位于所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上的N型区；位于所述第一阻止层上、紧靠所述第二阻止层的侧壁及第三阻止层的侧壁的第一侧墙；位于所述第二沟槽中栅极材料层上、紧靠所述第二氧化层的侧壁的第二侧墙；接触孔，所述接触孔位于所述第一沟槽两侧贯穿所述第一阻止层并延伸至所述半导体衬底中，以及位于所述第二沟槽中延伸至所述栅极材料层中；位于所述接触孔底部的P型区。
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