[实用新型]一种可控硅控制的振荡电路有效
| 申请号： | 201620753313.9 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN205754249U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 赵明杰 | 申请（专利权）人： | 皖西学院 |
| 主分类号： | H03K3/02 | 分类号： | H03K3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 237012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可控硅控制的振荡电路，包括电阻R1、二极管D1、单向可控硅VS、电容C1和二极管D2，所述电阻R1一端分别连接二极管D2正极和电源VCC，二极管D2负极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接单向可控硅VS的A极、电容C1和输出端Vo一端，输出端Vo另一端分别连接单向可控硅VS的K极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电容C1另一端、二极管D1正极和电阻R2并接地。本实用新型可控硅控制的振荡电路采用单向可控硅VS控制，在VS的A极巧妙设置电容C1进行充放电，从而产生振荡，安全性高，电路结构简单，成本低，体积小，而且没有使用任何芯片元件，抗干扰能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 控制 振荡 电路 | ||
【主权项】：
一种可控硅控制的振荡电路，包括电阻R1、二极管D1、单向可控硅VS、电容C1和二极管D2，其特征在于，所述电阻R1一端分别连接二极管D2正极和电源VCC，二极管D2负极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接单向可控硅VS的A极、电容C1和输出端Vo一端，输出端Vo另一端分别连接单向可控硅VS的K极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电容C1另一端、二极管D1正极和电阻R2并接地，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端、二极管D1负极和单向可控硅VS的G极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皖西学院，未经皖西学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620753313.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锥压抱紧式防松螺母
- 下一篇：加强型高空作业平台底盘
