[实用新型]应用于三维集成微系统的GaN外延片结构有效
| 申请号： | 201620771546.1 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN205944038U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 宋旭波;吕元杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于三维集成微系统的GaN外延片结构，属于微电子技术领域。本实用新型包括衬底，在衬底上刻蚀有若干呈阵列排布的深槽，每个深槽的槽底均覆盖有GaN外延层，所述GaN外延层是在槽底上直接外延生长而成的。利用本实用新型，芯片无需经过填埋过程即可直接应用，能够提高制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 三维 集成 系统 gan 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于三维集成微系统的GaN外延片结构，其特征在于，包括衬底，在衬底（101）上刻蚀有若干呈阵列排布的深槽（102），每个深槽（102）的槽底均覆盖有GaN外延层，所述GaN外延层是在槽底上直接外延生长而成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
