[实用新型]一种沟槽型SiCMOSFET用原胞有效
| 申请号： | 201620773343.6 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN205881911U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 尹振启,张宇锋 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种沟槽型SiC MOSFET用原胞，所述原胞的基区的下方及沟槽底部均设置有一个再掺杂区，所述再掺杂区的掺杂类型和所述基区保持一致，和漂移区的掺杂类型相反；基区下方的再掺杂区为B区域，B区域与基区相连；沟槽底部的再掺杂区为C区域，C区域设置在沟槽的正下方；所述再掺杂区的深度比原胞的沟槽深0.2‑1μm。本申请的沟槽型SiC MOSFET用原胞在原胞的基区下方(B区域)和沟槽底部(C区域)分别进行了再掺杂，B和C区域与漂移区形成相反的掺杂类型，在器件处于阻断情况下，在漂移区形成耗尽区，屏蔽沟槽底部的电场，从而保护了沟槽的底部和角落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 sicmosfet 用原胞 | ||
【主权项】：
一种沟槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述原胞的基区的下方及沟槽底部均设置有一个再掺杂区，所述再掺杂区的掺杂类型和所述基区保持一致，和漂移区的掺杂类型相反；基区下方的再掺杂区为B区域，B区域与基区相连；沟槽底部的再掺杂区为C区域，C区域设置在沟槽的正下方；所述再掺杂区的深度比原胞的沟槽深0.2‑1μm。
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