[实用新型]半导体器件和半导体部件有效
| 申请号： | 201620780006.X | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN206041966U | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K19/08 | 分类号： | H03K19/08;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和半导体部件。根据实施例，提供了级联连接的半导体部件。级联连接的半导体部件具有一对基于硅的晶体管，每个晶体管具有体区域、在体区域之上的栅极区域、源极区域和漏极。第一和第二基于硅的晶体管的源极区域电连接在一起，并且第一和第二基于硅的晶体管的漏极区域电连接在一起。第二基于硅的晶体管的栅极区域连接到第一和第二基于硅的晶体管的漏极区域。第二基于硅的晶体管的体区域具有高于第一基于硅的晶体管的掺杂浓度的掺杂浓度。基于氮化镓的晶体管的源极区域耦合到第一和第二基于硅的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 部件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(12)，所述半导体器件(12)与保护性器件(16)单片集成，特征在于，所述半导体器件(12)包括：第一导电性类型的半导体材料(152)，具有与第二主表面(156)相对的第一主表面(154)；其中所述半导体器件(12)形成在所述半导体材料(152)的第一部分中，并且其中所述半导体器件(12)包括：在所述半导体材料(152)的所述第一部分中的第一屏蔽/源极区域(188A)；与所述第一屏蔽/源极区域(188A)相邻的第一栅极电极(200A，200B)；在所述半导体材料(152)的第二部分中的漏极接触结构(110)；并且其中所述保护性器件(16)形成在所述半导体材料(152)的第三部分中，其中所述保护性器件(16)包括：在所述半导体材料(152)的第三部分中的第二屏蔽/源极区域(288A)；与所述第二屏蔽/源极区域(288A)相邻的第二栅极电极(200C，200D)；以及所述第二栅极电极(200C，200D)耦合到所述漏极接触结构(110)。
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