[实用新型]半导体元件

摘要

本实用新型涉及半导体元件。一种半导体元件包括支撑件，具有包括装置接收区域的第一装置接收结构、包括漏极接触区域和第一互连第二装置接收结构，以及接触扩展部；第一引线；第一半导体芯片，具有第一表面和第二表面，其中第一栅极接合焊盘耦接到第一互连，漏极接合焊盘耦接到漏极接触区域，源极接合焊盘耦接到接触扩展部；第二半导体芯片，耦接到第一装置接收结构；第一电互连，耦接在第一半导体装置的栅极接合焊盘和第二半导体芯片的源极接合焊盘之间；以及第二电互连，耦接在第二半导体芯片的栅极接合焊盘和第一引线之间。根据本公开，可以提供改善的半导体元件。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括:支撑件，具有第一装置接收结构和第二装置接收结构，所述第一装置接收结构包括装置接收区域，所述第二装置接收结构包括漏极接触区域和第一互连，所述支撑件还包括接触扩展部，所述接触扩展部是对于所述第一装置接收结构和所述第二装置接收结构共同的；第一引线，与所述支撑件分隔开；第一半导体芯片，具有第一表面和第二表面，其中第一栅极接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，源极接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，以及漏极接合焊盘从第一表面的第三部分延伸，所述第一半导体芯片的第一栅极接合焊盘耦接到第二装置接收结构的第一互连，所述漏极接合焊盘耦接到所述第二装置接收结构的漏极接触区域，以及所述第一半导体芯片的源极接合焊盘耦接到所述接触扩展部，以及其中所述第一半导体芯片由III‑N半导体材料构成；第二半导体芯片，具有第一表面以及第二表面，第二半导体芯片的栅极接合焊盘从所述第二半导体芯片第一表面的第一部分延伸，源极接合焊盘从所述第二半导体芯片的第一表面的第二部分延伸，以及漏极接触从所述第二半导体芯片的第二表面形成，所述第二半导体芯片耦接到所述第一装置接收结构，所述第二半导体芯片由硅半导体材料构成；第一电互连，耦接在所述第一半导体装置的栅极接合焊盘和所述第二半导体芯片的源极接合焊盘之间；以及第二电互连，耦接在所述第二半导体芯片的栅极接合焊盘和所述第一引线之间。