[实用新型]半导体制程废气烧结反应后捕捉生成物的装置有效

专利信息
申请号: 201620784344.0 申请日: 2016-07-25
公开(公告)号: CN205925284U 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 冯五裕 申请(专利权)人: 东服企业股份有限公司
主分类号: B01D47/06 分类号: B01D47/06;B01D53/14
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 实用新型提供一种半导体制程废气烧结反应后捕捉生成物的装置,包括一头盖罩设于废气处理槽所形成的反应腔室的顶部,该反应腔室内分别植入一废气导入管及一加热器,该反应腔室内的加热器对应废气导入管的出口而形成一废气反应端,该头盖与废气处理槽之间配置有一环状水盘,该环状水盘形成有多个呈环状间隔分布于反应腔室内的喷嘴,所述多个喷嘴位于废气反应端的底缘与反应腔室四周的槽壁之间。如此,改善传统半导体废气在经过高温烧结处理的后所生成的SiO2、WO2、BO2的粉末极其微细,且F2气体的分子极小,不利于后段水洗程序进行捕捉的问题。
搜索关键词: 半导体 废气 烧结 反应 捕捉 生成物 装置
【主权项】:
一种半导体制程废气烧结反应后捕捉生成物的装置,其特征在于,包括:一废气处理槽,其内部形成有一反应腔室;一头盖,罩设于该反应腔室的顶部;一废气导入管及一加热器,分别植入该反应腔室内,该反应腔室内的加热器对应废气导入管的出口而形成一废气反应端;及一环状水盘,配置于该头盖与废气处理槽之间,该环状水盘形成有多个呈环状间隔分布于反应腔室内的喷嘴;其中,所述多个喷嘴位于废气反应端的底缘与反应腔室四周的槽壁之间。
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