[实用新型]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201620786778.4 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN205944099U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;宋宏德;叶武阳;邢文超;明笑平 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 毕强 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，更具体地讲，涉及一种IGBT器件，包括源极金属、P+层、N区和栅电极区P+层位于最底层，向上依次设置N区、栅电极区和源极金属，源极金属与N区之间形成肖特基结，N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且第二凹槽深度大于第一凹槽深度，栅电极区位于第一凹槽内，其中第一凹槽为MOSFET的栅沟槽，第二凹槽为肖特基源区的沟槽，肖特基源区的沟槽深度大于MOSFET的栅沟槽深度，在器件承载电压的时候，肖特基结对MOSFET栅沟槽底部形成电场屏蔽，来降低MOSFET栅沟槽底部电场，改善MOSFET的可靠性，进而提高IGBT器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件，其特征在于，包括：源极金属、P+层、N区和栅电极区；所述P+层上依次设置有所述N区、所述栅电极区和所述源极金属；所述源极金属与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且所述第二凹槽深度大于所述第一凹槽深度。
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