[实用新型]可控硅保护电路有效
申请号: | 201620787141.7 | 申请日: | 2016-07-25 |
公开(公告)号: | CN206023727U | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 严凤英 | 申请(专利权)人: | 慧锐通智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H03K17/72 |
代理公司: | 深圳市诺正联合知识产权代理有限公司44368 | 代理人: | 李永华,张广兴 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区观澜街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供的可控硅保护电路包括可控硅、与所述可控硅分别并联的继电器及电阻器;所述电阻器为压热敏电阻;当所述继电器受控断开或闭合动作时,可控硅先导通,此时压热敏电阻起到分压作用,从而防止所述可控硅被击穿。本实用新型在继电器两端并联可控硅,通过在继电器动作前利用闭合的可控硅作为缓冲防止继电器损坏,同时为了提高可控硅的使用安全性,增加压热敏电阻对可控硅进行分压,可以防止可控硅被击穿。本实用新型的结构相对简单,成本比较低,实用性强。 | ||
搜索关键词: | 可控硅 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种可控硅保护电路,其特征在于,包括:可控硅、与所述可控硅分别并联的继电器及电阻器;所述电阻器为压热敏电阻;当所述继电器受控断开或闭合动作时,可控硅先导通,此时压热敏电阻起到分压作用,从而防止所述可控硅被击穿。
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