[实用新型]一种发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201620788101.4 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN205900578U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 万林 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、超晶格应力释放层、P型层、电子阻挡层、多量子阱层、电流扩展层、N型层。本实用新型通过在衬底上依次层叠缓冲层、非掺杂GaN层、超晶格应力释放层、P型层、电子阻挡层、多量子阱层、电流扩展层、N型层，由于P型层优先多量子阱层生长，因此可以通过升高P型层的生长温度来提高P型层中掺杂的Mg的活化效率且不会破坏到多量子阱层，使电子和空穴在多量子阱层充分复合发光，提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、超晶格应力释放层、P型层、电子阻挡层、多量子阱层、电流扩展层、N型层。
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